|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
38
|
129.50
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
269
|
290.00
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
АОУ103Б1 |
|
|
|
52
|
299.20
|
|
|
|
АОУ103Б1 |
|
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
АОУ103Б1 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АОУ103Б1 |
|
|
НПП УРЛЗ
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
|
2 946
|
1.84
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
СЗТП
|
357
|
11.81
|
|
|
|
КД209А |
|
Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А
|
РОССИЯ
|
62
|
4.41
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
16.83
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
|
229
|
14.40
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
4 791
|
15.20
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ503Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
496
|
28.54
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
425
|
31.50
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 243
|
36.00
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|