![]() |
Маломощный N-канальный полевой транзистор c изолированным затвором (вертикальный D-MOS) в корпусе SOT-23. широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначениямакс. |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
Power - Max | 200mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Серия | STripFET™ |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2nC @ 5V |
2N7002 Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
Производитель:
|
![]() | Р В РЎв„ўР В Р Р‹539Р“ пластРСВВВасса 30.24 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
![]() | SI9200EY Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВРєСЂРѕСЃС…РµРСВВВР В Р’В° РїСЂРСвЂВВРµРСВВВопереРТвЂВВатчРСвЂВВР С” Р В Р’В Р РЋР’ВВагРСвЂВВстралРцCAN РљСѓРїРСвЂВВть |
![]() | VLMO20J2M1 Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВР Р…Р СвЂВВатюрный Р В Р’В Р РЋР’ВВалопотребляющРСвЂВВР в„– светоРТвЂВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВРѕР҆РљСѓРїРСвЂВВть |
|
Корзина
|