BC857C

Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC857C (DC COMPONENTS)	13 313	2.06
BC857C (NXP)	8	2.10
BC857C (DIOTEC)	2 416	1.95
BC857C (NXP.)	3 046	3-4 недели Цена по запросу
BC857C (PHILIPS.)	2 130	3-4 недели Цена по запросу
BC857C (KOME)	10	1.68
BC857C (SUNTAN)	231 319	1.58 >100 шт. 0.79
BC857C	110 397	1.36 >100 шт. 0.68
BC857C (GALAXY ME)	646	1.12
BC857C (HOTTECH)	269 540	1.45
BC857C (LRC)	1 920	2.07
BC857C (SEMTECH)	36 637	1.54
BC857C (YJ)	35 946	1.03
BC857C (TRR ELECTRONICS)	304	1.27
BC857C (NEXPERIA)	39 596	1.50
BC857C (YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.)	16	1.04

Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Uк-э.макс.         -45V
Uк-б.макс.       -50V
Iк.макс.            100mA
Iк.имп.макс.     200mA
Fгр.                 100MHz
Pрасс.макс.     250mW
Cк                    4,5pF(тип.)
Шумы     2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe                  420..800
Диапазон рабочих температур     -65..+150°С
Аналог        ~КТ3130

Версия для печати

Технические характеристики BC857C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC85x

Small Signal Transistors (pnp)

Также в этом файле: BC857C

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

BC857C datasheet
168.66Kb
9стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	UTC
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.		31 800	4.08
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ИНТЕГРАЛ	266	11.34
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ПЛАНЕТА
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	WINGSHING
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	МИНСК
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	-
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	НАЛЬЧИК
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ANK
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ST MICROELECTRONICS
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	WS
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	HOTTECH	72 185	7.62
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	CJ
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	YOUTAI	125 876	2.43
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	KEXIN	3 071	9.27
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ZH	29 604	4.41
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	LGE
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	UMW
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	4-7 НЕДЕЛЬ	517
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	4 255	1.68
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	16 764	2.15
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	324	1.54
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		15 008	1.52 >100 шт. 0.76
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME	3 807	1.38
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	540 702	1.74 >100 шт. 0.87
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	717 954	1.31
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	2 644	1.54 >100 шт. 0.77
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	90 440	1.76 >100 шт. 0.88
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.03
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.46 >100 шт. 0.73
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	367 875	1.94
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	131 685	2.09
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		64 794	1.34 >100 шт. 0.67
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	4.91
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	680 815	1.74 >100 шт. 0.87
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.88
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	379 276	1.26
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.30
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	342	1.44
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	11 898	1.96 >100 шт. 0.98
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.12
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 060 782	1.06
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	272 313	1.10
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	120 000	1.03
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	751 769	1.64 >100 шт. 0.82
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	22 944	1.34 >100 шт. 0.67
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.68
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	7.56
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	8 719	2.34
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	6 651	3.15
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	445 052	1.58 >100 шт. 0.79
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	142 596	1.58 >100 шт. 0.79
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	320 870	1.14
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	184 202	1.04 >100 шт. 0.52
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	78 428	1.62
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	200	1.68
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	23 478	2.27
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	21 688	3.41
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		121 295	1.52 >100 шт. 0.76
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME	135	1.19
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	542 823	1.56 >100 шт. 0.78
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	88 000	3.10
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.19
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	922 767	1.11
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 551	1.68
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	126 924	1.40 >100 шт. 0.70
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	536 528	1.29
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.04

BC857C

Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают: