Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
327 400
|
2.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
28 132
|
2.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
66 074
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
30 163
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
576
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
16 713
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 086 159
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
193 701
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
128 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
650 275
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
39 164
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 230
|
1.60
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DC COMPONENTS
|
15 856
|
2.90
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
|
43 200
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DIOTEC
|
242
|
1.54
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
2 126
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
OTHER
|
16 615
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
1 335
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
2 986
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
HOTTECH
|
70 746
|
1.20
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONS
|
12
|
5.90
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
YJ
|
46 966
|
1.36
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
|
1 272
|
11.62
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
|
|
480.40
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
МАЛЬТА
|
|
|
|
|
|
ZPD5.1 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ZPD5.1 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|