| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
70
|
79.56
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
|
28
|
173.88
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
YOUTAI
|
23 697
|
35.85
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
UMW
|
|
|
|
|
|
|
ADM3485EARZ |
|
RS-485 трансивер, 20М бит/с, Uп=3.3В, эл. ст.+8кВ, -40°C..+85°C, SOIC8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BDP954 PNP SILICON AF POWER TRANSISTOR 80V 3A |
|
|
INFINEON
|
63
|
25.20
|
|
|
|
|
BDP954 PNP SILICON AF POWER TRANSISTOR 80V 3A |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
19 678
|
8.29
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
272 944
|
6.44
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
|
5 400
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
HOTTECH
|
75 608
|
1.67
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
WUXI XUYANG
|
28 968
|
1.69
|
|
|
|
|
BZV55C30 |
|
|
SEMTECH
|
857
|
1.47
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
3 568
|
7.41
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 666
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
40 288
|
9.80
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
542
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
|
|
|
Версия для печати
