Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220 |
Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6045 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N6386 |
|
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N6386 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6386 |
|
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N6386 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6387 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6387 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2SD635 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BD649 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
63.32
|
|
|
|
BD649 |
|
Транзистор биполярный составной
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
102.00
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
|
6
|
76.80
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
1
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
63.24
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
|
44.32
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
TIP101 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP131 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 80V 8A 70W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP131 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 80V 8A 70W
|
POWI
|
1
|
26.84
|
|
|
|
TIP131 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 80V 8A 70W
|
|
|
61.56
|
|
|
|
TIP131 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 80V 8A 70W
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
|
|
65.00
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
TIP132 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN-Darl 100V 8A 70W
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206 10ПФ NP0 50В |
|
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-503 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-503 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
|
|
102.24
|
|
|
|
3314G-1-503 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
3314G-1-503 |
|
Резистор подстроечный однооборотный
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 416
|
17.56
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 472
|
12.26
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
2 212
|
10.22
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
LISY300AL |
|
Одноосевой гироскоп с аналоговым выходом
|
ST MICROELECTRONICS
|
4
|
441.17
|
|
|
|
LISY300AL |
|
Одноосевой гироскоп с аналоговым выходом
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LISY300AL |
|
Одноосевой гироскоп с аналоговым выходом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LISY300AL |
|
Одноосевой гироскоп с аналоговым выходом
|
|
3
|
668.80
|
|
|
|
TIP106 |
|
Транзистор биполярный
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP106 |
|
Транзистор биполярный
|
|
|
56.96
|
|
|
|
TIP106 |
|
Транзистор биполярный
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP106 |
|
Транзистор биполярный
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP106 |
|
Транзистор биполярный
|
КИТАЙ
|
|
|
|