IRF644PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (250V, 14A, 125W, 0.28R)
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF644PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PIC16C622A-04I/SO | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| PIC16C622A-04I/SO | 764 | 334.40 | ||||||
| PIC16C622A-04I/SO | Microchip Technology |
|
|
|||||
| PIC16C622A-04I/SO | ТАИЛАНД |
|
|
