Версия для печати

Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный КТ829Б datasheet 75,63kB 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS	600	40.27
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ON SEMICONDUCTOR
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	70.30
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	STMicroelectronics
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ЭЛЬТАВ
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	70.30
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	FSC1
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRO
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FAI/QTC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	748	44.65
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W			28.56
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДОНЕЗИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	HOTTECH	6 637	18.67
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	LGE	4 624	17.00
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	KLS	530	23.81
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMICROELECTR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ZH	34 800	12.59
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ST MICROELECTRONICS
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD			63.24
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	STMicroelectronics

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	45.65
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	1 589	12.78
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный		428	11.34
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	КРЕМНИЙ
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	АЛЕКСАНДРОВ	23	4.20
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	БРЯНСК	104	5.25
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	НАЛЬЧИК
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	МИНСК	824	6.30
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	RUS
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ИНТЕГРАЛ	400	15.57
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ДАЛЕКС	544	12.40
		КТ829В				432	7.36
		КТ829В			КРЕМНИЙ	80	85.92
		КТ829В			ФРЯЗИНО
		КТ829В			ЭЛЬТАВ
		КТ829В			БРЯНСК
		КТ829В			САРАНСК
		КТ829В			КРЕМН
		КТ829В			ЭЛЬДАГ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		11 780	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	18 668	46.20
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 200	113.65
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 774	36.80
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	16 816	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	1 520	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ	1 104	60.91

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"