|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
|
|
1 140.00
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
|
1
|
140.40
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ48V |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 72A, 150W)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
13
|
944.62
|
|
|
|
SL-30 |
|
(220В, 25-100Вт) паяльная станция
|
|
|
11 200.00
|
|
|
|
SL-30 |
|
(220В, 25-100Вт) паяльная станция
|
BM
|
|
|
|
|
|
SL-30 |
|
(220В, 25-100Вт) паяльная станция
|
AUK
|
|
|
|
|
|
SL-30 |
|
(220В, 25-100Вт) паяльная станция
|
SOLM
|
|
|
|
|
|
SL-30 |
|
(220В, 25-100Вт) паяльная станция
|
SOLOMON
|
|
|
|
|
|
КОЛЬЦО М1000Н3-Б 20Х12Х6 |
|
|
|
|
|
|