|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
VISHAY
|
5 120
|
9.97
|
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
93
|
430.70
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
1
|
377.85
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
528
|
440.58
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
5
|
452.64
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
42.56
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
28
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
|
76.64
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
82
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|