|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
|
48 947
|
2.10
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
FAIRCHILD
|
1 626
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
YJ
|
35 112
|
2.77
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
9 289
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
SUNTAN
|
972
|
2.98
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
KOME
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
ES2D |
|
Диод выпрямительный ультрабыстрый 20нс, 200В, 2А
|
MIC
|
2 624
|
2.43
|
|
|
|
ES2G-E3/52T |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ES2G-E3/52T |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
59
|
|
|
|
|
ES2G-E3/52T |
|
|
|
|
|
|
|
|
ES2G-E3/52T |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES2G-E3/52T |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ES3D-E3/57T |
|
|
VISHAY
|
51
|
48.22
|
|
|
|
ES3D-E3/57T |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ES3D-E3/57T |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
787
|
|
|
|
|
ES3D-E3/57T |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES3D-E3/57T |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF1405Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF1405Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
257.60
|
|
|
|
IRF1405Z |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
267
|
132.60
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
|
|
102.80
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
EVVO
|
3 088
|
38.85
|
|