|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
728
|
60.48
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
21 372
|
20.98
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 001
|
65.78
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
|
44.32
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
2 772
|
56.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 600
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
203
|
76.80
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
3 512
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
DC COMPONENTS
|
10 973
|
10.81
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
|
324
|
3.48
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YJ
|
15 200
|
6.20
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
HOTTECH
|
800
|
6.20
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
SEP
|
184
|
4.21
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
|
1 501
|
82.80
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРО-М
|
918
|
123.98
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
ММ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КВАЗАР КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МЕЗОН КИШИНЁВ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КОНТИНЕНТ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
УКРАИНА
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КВАДР
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
РОССИЯ
|
37
|
58.88
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КОНТИНЕТ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 640
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
5 352
|
12.41
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
17 600
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 152
|
9.08
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 644
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
16 416
|
46.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 440
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
1 086
|
60.91
|
|