| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BC337-40RL1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC337-40RL1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC337-40RL1G |
|
|
|
|
4.60
|
|
|
|
|
BC337-40RL1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
 |
 |
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
35 803
|
2.88
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
50 896
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
11 726
|
1.61
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
44 112
|
1.30
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
59 693
|
1.37
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
|
2
|
96.80
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC10F200-I/P |
|
256x12 Flash 4I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0756RL |
|
|
YAGEO
|
197 468
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
|
RC0805JR-0756RL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-0756RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
|
|
|
|
Версия для печати
