FDG6321C


Купить FDG6321C ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDG6321C
Версия для печати

Технические характеристики FDG6321C

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C500mA, 410mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BF422
BF422 (N-P-N) и BF423 (P-N-P) - транзисторы высоковольтные средней мощности в корпусе TO-92. Применяются, в частности, в телевизорах и видеомониторах....
Купить
PSMN030-150P
N-канальный trenchmos™ транзистор
Купить
DKA30A-15
Dc/dc преобразователь мощностью 30 вт, корпус: pcb 2x2 inch
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход