|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFG135 |
|
СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFG135 |
|
СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG135 |
|
СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт
|
|
|
37.48
|
|
|
|
BFG135 |
|
СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
BFG135 |
|
СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
17 384
|
9.25
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
279 573
|
7.04
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-ADJ |
|
|
|
|
92.64
|
|
|
|
LM1117IMPX-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-ADJ |
|
|
NATIONAL
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-3.3 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-3.3 |
|
|
|
|
64.40
|
|
|
|
LM1117MP-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117MP-3.3 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
12 736
|
2.89
|
|