![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchMOS™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 100mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 173mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V |
Power - Max | 830mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
BSN20 (MOSFET) N-channel enhancement mode field-effect transistor
Производитель:
|
![]() | Р В РЎСџР В РЎв„ўР В РЎСљ61-Р—2-2-1-15-2 РњРѕРТвЂВВВВВульные кнопочные переключателРцРџРљРЅ61 ручного управленРСвЂВВВВВР РЋР РЏ РїСЂРµРТвЂВВВВВназначены Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВВВля РєРѕРСВВВВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВВВутацРСвЂВВВВВРццепей постоянного РцпереРСВВВВВВенного тока. КонструкцРСвЂВВВВВР РЋР РЏ переключател... 38.40 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВВВть |
![]() | AM2D-0507DZ DC/DC преобразователь Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВощностью 2Р’С‚, РІС…РѕР҆5Р’В±10%, выхоР҆7.2Р В РІР‚в„ў Р’В±139Р В Р’В Р РЋР’ВВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚в„ў. RР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВР·РѕР». 1РєР’ РљСѓРїРСвЂВВВВВть |
|
Корзина
|