FDP18N20F

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDP18N20F		187.20

Версия для печати

Технические характеристики FDP18N20F

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1180pF @ 25V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDP18N20F (MOSFET)

N-Channel MOSFET, FRFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDP18N20F datasheet
506.1 Кб