КТ315Б КРАСН.

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА		1 667	45.90
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МЕЗОН	400	75.77
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИКРОН
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	МИОН
К555ЛА3	4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА	RUS
КТ315Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В		63 011	7.04
КТ315Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	НАЛЬЧИК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		55 428	7.20
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.02
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	880	7.87
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный
МЛТ - 0.25 ВТ 820 КОМ 5%			2 184	1.20