|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
|
|
800.00
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
США
|
|
|
|
|
|
ICE3B2065P |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2A, Pout=W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
|
936
|
51.00
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К555АП5 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
|
|
57.60
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ФОТОН
|
15 836
|
24.00
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ЭЛЕКС
|
532
|
158.10
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
4 177
|
24.50
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
13 722
|
30.00
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР504НТ3В |
|
|
|
1
|
31.20
|
|
|
|
КР504НТ3В |
|
|
ТОНДИ
|
884
|
51.00
|
|