|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КП103Е1 | 3 744 | 12.25 | ||||||
КП103Е1 | ВИННИЦА | |||||||
КП103Е1 | RUS | |||||||
КП103Е1 | РОССИЯ | |||||||
КП103Е1 | ОКТЯБРЬ | 1 280 | 59.04 | |||||
КП302Б1 | 96.00 | |||||||
КП303Е | Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | 5 351 | 24.50 | |||||
КП303Е | Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | ФОТОН | 14 640 | 30.00 | ||||
КП303Е | Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | АЛЕКСАНДРОВ | ||||||
КП303Е | Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | АЛЕСАНДРОВ | ||||||
КП303Е | Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | RUS | ||||||
КП307Б1 | 804 | 30.60 | ||||||
КП307Б1 | АЛЕКСАНДРОВ | |||||||
КР159НТ1Б | Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 824 | 30.60 | |||||
КР159НТ1Б | Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|