| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ATMEGA128-16AI |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AI |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
|
|
940.00
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AI |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128-16AI |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, Vcc=4.5-5.5V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
374
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МЕЗОН КИШИНЁВ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
|
1 373
|
37.80
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
К561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В
|
СПЛАВ
|
800
|
73.36
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
|
504
|
77.28
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
453
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УРЛЗ
|
1 074
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
|
307
|
71.76
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
214
|
88.72
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ819В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
С2-29В- 0.25ВТ 1 КОМ 1% |
|
|
|
40 608
|
10.08
|
|
Версия для печати
