IRFL110PBF
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id= 1.5A @T=25C, Id=540 mOhm @ 900mA, 10V 8.3nC @ 10V 8.3nC @ 10V).
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFL110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFL9110PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный -100В -1.1А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFL9110PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный -100В -1.1А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFL9110PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный -100В -1.1А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
