|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
16 016
|
23.62
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
|
|
126.40
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
DC COMPONENTS
|
7 106
|
8.88
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MI
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
|
100
|
4.32
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MIC
|
2 890
|
6.23
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YJ
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KINGTRON
|
2 384
|
12.13
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
КИТАЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
HOTTECH
|
56 455
|
4.90
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
TRR
|
2 400
|
3.36
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
RUME
|
13 200
|
2.95
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
532
|
79.05
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
|
|
43.12
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
INTERSIL
|
7
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF630 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
KX-38 32.768 KHZ 12.5PF 10 PPM |
|
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
KX-38 32.768 KHZ 12.5PF 10 PPM |
|
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
KX-38 32.768 KHZ 12.5PF 10 PPM |
|
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
MUR
|
89 145
|
4.11
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN100N00L |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|