![]() |
|
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V |
Ток выходной / канал | 160mA |
Ток выходной | 210µA |
Напряжение входного смещения | 1700µV |
Ток - входного смещения | 15nA |
Полоса пропускания | 1MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 1 V/µs |
Тип выхода | Rail-to-Rail |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Output Type | Rail-to-Rail |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
2SC4672T100Q |
![]() |
Rohm Semiconductor |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
2SC4672T100Q |
![]() |
ROHM |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
2SC4672T100Q |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
GSOT03C-E3-08 | VISHAY | 9 121 | 13.14 | |||||
GSOT03C-E3-08 |
![]() |
![]() |
||||||
LMV358DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LMV358DR2G | ONS | 576 | 45.96 | |||||
LMV358DR2G |
![]() |
![]() |
||||||
LMV358DR2G | ON SEMICONDUCTOR | 76 |
![]() |
|||||
MBI5029GD | MBI |
![]() |
![]() |
|||||
MBI5029GD |
![]() |
190.68 | ||||||
MBI5029GD | ТАИЛАНД |
![]() |
![]() |
|||||
X0202MN 5BA4 | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
X0202MN 5BA4 | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
X0202MN 5BA4 |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|