BTA26-600BRG TOP3 (RP)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
G2R124DC	Реле мощности моностабильное для монтажа на плату контакты шаг 2.,5мм, 530мВт, 1100Ом, ...	OMRON
G2R124DC	Реле мощности моностабильное для монтажа на плату контакты шаг 2.,5мм, 530мВт, 1100Ом, ...
G2R1E24DC	Герметичное реле универсальное пост. тока, контакты 1С сплав серебра, для монтажа в ...	OMRON
G2R1E24DC	Герметичное реле универсальное пост. тока, контакты 1С сплав серебра, для монтажа в ...
HEF4021BT,652		NXP Semiconductors
HEF4021BT,652		NXP
HEF4021BT,652		NEX
HEF4021BT,652
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	DC COMPONENTS
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В			217.36
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	WTE
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	КИТАЙ
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	GALAXY
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	MIC	179	125.22
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	YJ
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	GALAXY ME
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	SEP
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	WUXI XUYANG	8	91.22
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	YANGJIE	3 040	79.49
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	YANGJIE (YJ)
KBPC3510W	Диодный мост 35А, 1000В	HOTTECH	1 841	146.06
M24M01-RMN6TP	Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)	ST MICROELECTRONICS	56	75.21
M24M01-RMN6TP	Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)		4 000	45.26
M24M01-RMN6TP	Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)	STMicroelectronics
M24M01-RMN6TP	Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 236