Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1312pF @ 10V |
Power - Max | 460mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | 3-SSOT |
Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
|
7 600
|
16.10
|
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные
|
RUICHI
|
308
|
30.20
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 948
|
2.27
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.54
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 191
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
842 768
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
701 481
|
1.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 644
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.06
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
|
|
44.00
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
FAIRCHILD
|
840
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
ONS
|
17 662
|
8.86
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDV304P |
|
|
TECH PUB
|
13 464
|
3.04
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
11 030
|
20.55
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
|
1 220
|
20.99
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 941
|
|
|
|
|
LD1117AS33TR |
|
Линейный регулятор - [SOT-223]; Тип: LDO; Uвх: 4.75...10 В; Uвых: 3.168...3.432 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UT33D |
|
Мультиметр цифровой с генератором
|
|
|
1 608.00
|
|
|
|
UT33D |
|
Мультиметр цифровой с генератором
|
UNIT
|
6
|
2 101.73
|
|
|
|
UT33D |
|
Мультиметр цифровой с генератором
|
UNI-TREND
|
|
|
|
|
|
UT33D |
|
Мультиметр цифровой с генератором
|
UNI TREND
|
|
|
|