![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 6.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.2A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
![]() | РђРђРЁР’-1 4Р В РўС’70 (РћР–) Кабель РїСЂРµРТвЂВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚Вля переРТвЂВачРцРцраспреРТвЂВеленРСвЂВР РЋР РЏ электрРСвЂВческой энергРСвЂВРцвстацРСвЂВонарных условРСвЂВСЏС… вэлектрРСвЂВческРСвЂВС… сетях Р Р…Р В° напряженРСвЂВР В Р’Вµ РѕС‚ 1,6 Р С†10 РєР’ пере... 1164.80 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | TSM 1212D Dc/dc конвертер серРСвЂВР С†tsm Р В Р’В Р РЋР’Вощностью 1 ваттОсобенностРСвЂВ: Доступные РєРѕСЂРїСѓСЃР° - SOIC-14 Р С†SOIC-18 РћРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВР Р… Р В Р’В Р РЋРІР‚ВР»РцРТвЂВРІР° Р В Р’В Р РЋРІР‚ВР·РѕР»РСвЂВрованных выхоРТвЂВР В Р’В° НапряженРСвЂВР В Р’Вµ Р В Р’В Р РЋРІР‚ВзоляцРСвЂВ... РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | IXFX26N100P Polar power mosfet hiperfet РљСѓРїРСвЂВть |
|
Корзина
|