|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6036 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N6036 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6036 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N6036 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N6036 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6036 |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
|
1
|
36.00
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
908
|
30.97
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BD438 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
MJE700 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE700 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE700 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
937
|
28.00
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
1 549
|
30.00
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 760
|
12.00
|
|