![]() |
Структура N-канал |
Power - Max | 94W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 49A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 25A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFZ44NPBF Hexfet-r Power Mosfet
Производитель:
|
![]() | 2Р В Р СљР Сћ18Р В РЎв„ўР В РЎСџР В РЎСљ7Р“1Р В РІР‚в„ў1Р В РІР‚в„ў РазъеРСВВВВР РЋРІР‚в„– электрРСвЂВВВческРСвЂВВВР В Р’Вµ Р Р…Р СвЂВВВзкочастотные С†РСвЂВВВР»РСвЂВВВР Р…Р ТвЂВВВСЂРСвЂВВВческого С‚РСвЂВВВР С—Р В° 2Р В Р’В Р В РЎС™,2Р В Р СљР Сћ, 2Р РњР”, 2РМДТ Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля  Р  В Р’ Р Р‹Р Р†Р вЂљР’ Р В Р’µР С—ей постоянного, переРСВВВВенного (частотой Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР С• 3000 кГц) то... 3948.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | TEN 15-4811 Dc/dc конвертер серРСвЂВВВР С†ten 15 Р В Р’В Р РЋР’ВВВощностью 15 ваттОсобенностРСвЂВВВ: Р В Р РѓР В РЎвЂВВВСЂРѕРєРСвЂВВВР в„– Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВапазон РІС…РѕРТвЂВВВных напряженРСвЂВВВР в„– 2:1 ВысокРСвЂВВВР в„– РљРџР” Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР С• 88% Р”РСвЂВВВапазон рабочРСвЂВВВС… теРСВВВВператур... 5485.45 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | DS3902U-515 Двойной энергонезавРСвЂВВВРЎРѓР СвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВый С†РСвЂВВВфровой переРСВВВВенный резРСвЂВВВстор Р РЋР С“ РїР°РСВВВВятью РљСѓРїРСвЂВВВть |
|
Корзина
|