Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 8V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 20 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
|
95 680
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DC COMPONENTS
|
19 084
|
2.70
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DIOTEC
|
2 251
|
1.57
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
11 268
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
7 296
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
2 720
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
37
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
HOTTECH
|
60 643
|
1.06
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PANJIT
|
1
|
2.11
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YOUTAI
|
7 839
|
2.10
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YJ
|
131 283
|
1.22
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
JSCJ
|
118 353
|
1.09
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
UMW
|
1 120
|
1.97
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
CJ
|
1 592
|
1.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 873
|
2.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
631
|
1.62
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
5 142
|
2.01
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 600
|
1.31
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
10.82
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
38 248
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
34 936
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
38 400
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
283 831
|
1.31
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
164 519
|
1.32
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
62 292
|
1.34
|
|
|
|
ES1D-E3/61T |
|
Электронный компонент, SMA
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ES1D-E3/61T |
|
Электронный компонент, SMA
|
VISHAY
|
1 061
|
1.82
|
|
|
|
ES1D-E3/61T |
|
Электронный компонент, SMA
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
112
|
|
|
|
|
ES1D-E3/61T |
|
Электронный компонент, SMA
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES1D-E3/61T |
|
Электронный компонент, SMA
|
|
|
|
|
|
|
ES1D-E3/61T |
|
Электронный компонент, SMA
|
VISHAY
|
1 308
|
|
|
|
|
STRX6756 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRX6756 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W
|
|
|
383.64
|
|
|
|
STRX6756 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STRX6756 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=0W
|
1
|
|
|
|