BSS138DW
Dual n-channel enhancement mode field effect transistor
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
BSS138DW (YJ) |
14 938 |
2.67
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики BSS138DW
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 200mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
BSS138DW (MOSFET)
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
Diodes Incorporated
|
