|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-NP0-2200PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 2200 пФ 50 В
|
KOME
|
|
|
|
|
|
1206-NP0-2200PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 2200 пФ 50 В
|
|
|
7.20
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
73 809
|
2.63
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
503
|
2.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
64 997
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
80
|
8.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
10
|
2.21
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
14 167
|
2.48
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.23
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
497 910
|
1.13
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
78 759
|
2.46
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
108 992
|
1.10
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
152
|
1.37
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
15 472
|
1.51
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
8 239
|
1.67
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
1 894
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
42 610
|
1.15
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
172 800
|
1.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 948
|
2.25
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 191
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
815 199
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
701 481
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 644
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.06
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
DL4148 |
|
Диод 150мА, 100В, SMD
|
DC COMPONENTS
|
149 568
|
1.96
|
|
|
|
DL4148 |
|
Диод 150мА, 100В, SMD
|
|
132
|
1.60
|
|
|
|
DL4148 |
|
Диод 150мА, 100В, SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
DL4148 |
|
Диод 150мА, 100В, SMD
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DL4148 |
|
Диод 150мА, 100В, SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
6 460
|
127.41
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
|
|
176.76
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
5 455
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|