|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
1 644
|
8.64
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 516
|
19.38
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MSHVN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
800
|
9.45
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
10 716
|
6.80
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIC
|
8 110
|
7.08
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
5 464
|
4.67
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
---
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIOTEC
|
540
|
11.01
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SHENZHEN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
LGE
|
22 832
|
9.15
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SUNTAN
|
16 335
|
10.32
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KLS
|
5
|
7.94
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
19 000
|
5.82
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
HOTTECH
|
1 920
|
10.24
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
PETPREN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ASEMI
|
2 468
|
10.52
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
LINGJIE
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL
|
871
|
25.20
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
|
|
52.40
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
612
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
2 128
|
3.24
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
77 204
|
2.18
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
541
|
2.42
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
18 491
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
863 801
|
1.22
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
679 607
|
1.07
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
2 000
|
5.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
30 890
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
154
|
1.29
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
163 490
|
1.08
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
60 222
|
1.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 736
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 764
|
2.19
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.55
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
521 700
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
717 954
|
1.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
90 346
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
МИНСК
|
3 419
|
33.60
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
4
|
26.46
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
|
|
|
|