| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
DC COMPONENTS
|
4 338
|
12.26
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
|
2 804
|
3.89
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
HOTTECH
|
960
|
7.87
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
SEP
|
160
|
10.18
|
|
|
|
|
ГРПМШ-1-61 ГО2-В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГРПМШ-1-61 ГО2-В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б 0,068М Y5V 50В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
345
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 115
|
36.00
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,25-24 КОМ-10% |
|
|
|
135
|
3.60
|
|
Версия для печати
