|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI ELECTRIC
|
4
|
351.90
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
|
|
228.48
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
|
|
7.16
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BZX85C13 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
|
|
10.80
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
11 340
|
10.50
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 612
|
9.10
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
4 720
|
25.58
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
|
3 232
|
4.38
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМНИЙ
|
2 458
|
11.52
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
МИНСК
|
16 084
|
11.00
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102АМ |
|
Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц
|
КРЕМН
|
|
|
|