IRFBG30PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRFBG30PBF (VISHAY)	7 556	84.58
IRFBG30PBF	1 580	86.76
IRFBG30PBF (INFINEON)	344	134.32

Версия для печати

Технические характеристики IRFBG30PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	980pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBG30PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBG30PBF datasheet
2.1 Мб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BA159 (1A 1000V)	Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
MF-1-0.62 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-1-0.62 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		40	6.12
MF-2-51K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-2-51K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			8.00
PBSS5540Z		PHILIPS
PBSS5540Z			9	100.80
PBSS5540Z		NXP
PBSS5540Z		PHILIPS
PBSS5540Z		NXP	16
ДИХЛОРЭТАН, 30 МЛ				78.00