|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
11 088
|
5.05
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
7 134
|
3.97
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
8 000
|
1.22
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 317
|
1.88
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.26
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
|
|
18.48
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 688
|
17.28
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
ПУЭРТО РИКО
|
|
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139-10 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 1,5A 8W B:60-160
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой
|
|
3
|
364.45
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
|
588
|
118.74
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 966
|
130.32
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
|
|
320.00
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|