AB0099 100Х90Х26

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
533ИР22			201	198.90
533ИР22		МЕЗОН	190	60.00
533ИР22		МИКРОН	1	60.00
533ИР22		RUS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	321.30
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		1	272.40
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	188.93
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	30	629.75
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY
РПИ-М 1.5-(2.8)			28 640	1.50
РПИ-М 1.5-(4.8)			3 376	2.30
РПИ-М 1.5-(4.8)		КВТ