| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
11
|
4.41
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
|
|
3.96
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
257
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
COMPENSATED DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
1N5711 |
|
Диод Шоттки 70В 0.015A DO35
|
1
|
|
|
|
 |
 |
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
112
|
156.70
|
|
|
|
|
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
|
|
|
|
|
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
|
|
|
|
|
|
|
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
AD8009ARZ |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
|
LQW2BHN39NJ03L |
|
|
MUR
|
2 240
|
23.43
|
|
|
|
|
LQW2BHN39NJ03L |
|
|
MURATA
|
560
|
22.03
|
|
|
|
|
LQW2BHN39NJ03L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LQW2BHN47NJ03 |
|
Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
LQW2BHN47NJ03 |
|
Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQW2BHN47NJ03 |
|
Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)
|
|
|
38.80
|
|
|
|
|
LQW2BHN47NJ03 |
|
Индуктивность ЧИП 47 нГн, 5% (0805)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
Версия для печати
