IRF3000

Версия для печати

Технические характеристики IRF3000

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 960mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	730pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3000 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3000 datasheet
129.3 Кб