IXFN360N10T


Купить IXFN360N10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Версия для печати

Технические характеристики IXFN360N10T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C360A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs505nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds36000pF @ 25V
Power - Max830W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN360N10T datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход