NDS9952A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A, 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Power - Max | 900mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NDS9952A (N/P-канальные транзисторные модули) Dual N and P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
