Версия для печати
Технические характеристики SQP500JB-39R

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	39 Ом
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	5 Вт
Тип монтажа	Axial
Температурный коэффициент сопротивления	±300ppm/K
Размер корпуса	9.5x9.0x22.0 мм
Рабочая температура	-55...155 °C
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SQP
Сопротивление (Ом)	39
Мощность (Ватт)	5W
Composition	Wirewound
Температурный коэфициент	±300ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Size / Dimension	0.866" L x 0.374" W (22.00mm x 9.50mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для навесного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC815		Биполярный транзистор	FAI/QTC
		2SC815		Биполярный транзистор	FSC
		2SC815		Биполярный транзистор		23	25.20
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В		1	694.80
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		2 516	11.72
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	1 971	13.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ	56	19.22
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	944	8.00
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	13.77
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 240	22.63
		КТ645А				800	5.78
		КТ645А			КРЕМНИЙ
		КТ645А			МИНСК	1 488	8.00
		КТ645А			RUS
		КТ645А			ИНТЕГРАЛ	800	12.75
		КТ645А			ТРАНЗИСТОР	1 200	16.73
		КТ645А			АЛЕКСАНДРОВ	1 456	6.00
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс		407	86.28
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СССР ЭКСПОРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТМОСКВА
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	RUS
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СЗТП	53	112.20
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	П/П 2
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"