|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFL4310 |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFL4310 |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W
|
|
1 881
|
15.06
|
|
|
|
IRFL4310 |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
20
|
|
|
|
|
IRFL4310 |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
IRFL4310 |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
|
24
|
65.60
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
MUR4100E |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR4100E |
|
|
|
|
60.80
|
|
|
|
MUR4100E |
|
|
|
|
60.80
|
|
|
|
MUR4100E |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
Е193В |
|
|
|
|
149.76
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
101
|
16.45
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
266
|
25.50
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|