IRFBG30

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBG30		171.60
IRFBG30 (TOKMAS)	2 064	57.62

Версия для печати

Технические характеристики IRFBG30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	980pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBG30 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=1000v, Rds (on) =5.0ohm, Id=3.1a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFBG30 datasheet
171.15Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
40TPS08	Тиристор, 35A 800В	VISHAY
40TPS08	Тиристор, 35A 800В	INTERNATIONAL RECTIFIER
40TPS08	Тиристор, 35A 800В			324.76
40TPS08	Тиристор, 35A 800В	Vishay/Semiconductors
ECAP 1000/10V 0814 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С	JAMICON
ECAP 1000/10V 0814 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С			18.00
ECAP 1000/10V 0814 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С	JAM
ECAP 1000/10V 0814 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С	JACKCON	704	6.30
RC0805FR-07150KL		YAGEO	178 165	0.65 >1000 шт. 0.13
RC0805FR-07150KL		YAGEO
RC0805FR-07150KL
RC0805FR-0722K1L		YAGEO	149 356	1.03
RC0805FR-0722K1L
SK006M0470BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 6.3 В	YAGEO
SK006M0470BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 6.3 В