Версия для печати
Технические характеристики IRFBG30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	980pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBG30 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=1000v, Rds (on) =5.0ohm, Id=3.1a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFBG30 datasheet 171.15Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	2.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	16 968	1.59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	127 377	1.23
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	2.15
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	401 432	1.64  >100 шт.   0.82
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	406 181	1.13
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	66 742	1.90  >100 шт.   0.95
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	390	1.38
		BC869		Транзистор	PHILIPS
		BC869		Транзистор	NXP
		BC869		Транзистор	PHILIPS
		BC869		Транзистор		776	26.40
		MAL202136101E3		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В	VISHAY
		MAL202136101E3		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В	Vishay/BC Components
		MAL202136101E3		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
		SJ010M1800B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 1800 мкФ 10 В	YAGEO
		SJ010M1800B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 1800 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SJ010M1800B5S-1320		Электролитический алюминиевый конденсатор 1800 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UCC38C45D			TEXAS INSTRUMENTS	646	90.00
		UCC38C45D
		UCC38C45D

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"