|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AM1D-0505SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...
|
AIMTEC
|
1 956
|
311.35
|
|
|
|
AM1D-0505SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...
|
|
1
|
607.20
|
|
|
|
AM1D-0505SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
|
3 616
|
25.99
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
JSMICRO
|
1 020
|
31.37
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
38.25
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
936
|
33.15
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
12 956
|
4.14
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
|
1
|
528.00
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F2320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 25I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
5
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 304
|
272.22
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
456
|
242.21
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
456
|
242.21
|
|