Current - Reverse Leakage @ Vr | 40µA @ 1200V |
Current - Average Rectified (Io) | 30A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 4.1V @ 30A |
Серия | HEXFRED® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 170ns |
Тип монтажа | Through Hole, Radial |
Корпус (размер) | TO-247-2 (TO-247AC Modified) |
Корпус | TO-247AC Modified |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
7 796
|
4.24
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
10
|
14.40
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
13 381
|
3.01
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
368
|
4.92
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
8 800
|
3.23
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
828
|
6.30
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
1 999
|
4.01
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
1 568
|
2.70
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
16 000
|
1.90
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
TRR ELECTRONICS
|
2 040
|
3.37
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
HFA25TB60PBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр =25A, TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
|
|
70.24
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
14
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
SILICONIX
|
19
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
|
|
155.76
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
1
|
|
|
|
|
|
К75-54М-10КВ-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 10000 В
|
|
|
1 580.00
|
|