AO3407A
|
MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 830pF @ 15V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | ONS | 8 | 24.64 | |
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | 1 | 187.20 | ||
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
| NCP1400ASN33T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1400ASN33T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1400ASN33T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1400ASN33T1G |
|
|
||||||
| NCP1400ASN33T1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| PBHV9040Z | NXP |
|
|
|||||
| PBHV9040Z |
|
|
||||||
|
|
PMBT4403 | NXP |
|
|
||||
|
|
PMBT4403 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
PMBT4403 |
|
|
|||||
|
|
PMBT4403 | NXP |
|
|
||||
|
|
PMBT4403 | PHILIPS | 121 |
|
||||
| STRA6259H | SANKEN |
|
|
|||||
| STRA6259H | SK |
|
|
|||||
| STRA6259H | 1 | 208.80 |
