BAV99LT1G
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5µA @ 70V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 215mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BAV99LT1 Monolithic Dual Switching Diode Также в этом файле: BAV99LT1G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | РџРљР• 122-1 РљР РђРЎРќ. ГРРВВІпреРТвЂР  Р…азначены Р В РўвЂР  В»РЎРЏ РєРѕРСВР В РЎВутацРСвЂР  С†РЎРЊР В»Р ВµР С”трРСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”Р СвЂР ЎвЂ¦ цепей управленРСвЂР РЋР РЏ переРСВенного тока напряженРСвЂР  ВµР С Р ТвЂР  С• 660 Р В РІР‚в„ў частотой 50 Р С†60 ГцРцпостоянного тока напряженРСвЂР  ВµР С Р ТвЂ... 214.96 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | APPA 63N Постоянное напряженРСвЂР В Р’Вµ 0,1 Р В РЎВР В РІР‚в„ў - 600 Р В РІР‚в„ў ПереРСВенное напряженРСвЂР В Р’Вµ 1 Р В РЎВР В РІР‚в„ў-600 Р В РІР‚в„ў (0,1 Р В РЎВР В РІР‚в„ў-600 Р В РІР‚в„ў APPA 67) Постоянный ток 0,1 Р В РЎВРєРђ-10 Р С’ (0,1 Р В РЎВРєРђ-3,2 Р С’ APPA 63N) ... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | Р В РЎС™4203 0-2Р С’ точность 2,5; 40С…40С…48 544.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
