IRLR3110Z
|
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR3110ZPBF (Полевые МОП транзисторы) Automotive Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82477G4224M | EPCOS |
|
|
|||||
| B82477G4224M |
|
|
||||||
| B82477G4224M | TDK |
|
|
|||||
| B82477G4224M | TDK-EPC |
|
|
|||||
| B82477G4224M | TDK EPCOS |
|
|
|||||
 |
 |
ECASD40J107M015K00 |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
MUR |
|
|
||
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
|
|
|||
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
MURATA | 12 | 51.17 | ||
| MBR120VLSFT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBR120VLSFT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBR120VLSFT1G | ONS |
|
|
|||||
| MBR120VLSFT1G |
|
|
||||||
 |
|
PBSS4350T,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PBSS4350T,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
PBSS4350T,215 |
|
|
|
|||
| PBSS5350T.215 | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5350T.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| PBSS5350T.215 |
|
|
||||||
| PBSS5350T.215 | JSMICRO | 62 120 | 3.83 |
