|
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 140W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRLR3110ZPBF (Полевые МОП транзисторы) Automotive Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CRA2512-FZ-R050ELF | Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | BOURNS | 4 | 36.41 | ||||
CRA2512-FZ-R050ELF | Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | Bourns Inc | ||||||
CRA2512-FZ-R050ELF | Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | |||||||
RT0603BRD0710KL | YAGEO | 12 237 | 1.74 | |||||
RT0603BRD0710KL | YAGEO | 3 076 | ||||||
RT0603BRD0710KL | ||||||||
RT0603BRD0720KL | YAGEO | 102 016 | 1.89 | |||||
RT0603BRD0720KL | YAGEO | |||||||
RT0603BRD0720KL | ||||||||
RT0603BRD074K7L | Yageo | 32 550 | 2.10 | |||||
RT0603BRD074K7L | ||||||||
RT0805BRE0730K1L | Yageo | |||||||
RT0805BRE0730K1L |
|